2026-09-10 · 来源：{'name': 'HotHardware', 'url': 'https://hothardware.com/news/asml-tsmc-and-samsung-team-up-to-solve-next-gen-chip-bottleneck'}
三星与台积电正与ASML协同，推动高数值孔径EUV光刻技术走向量产，并将新一代设备与更大尺寸的12英寸晶圆转型同步推进。
三星与台积电已承诺采用ASML的新一代高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术，将该技术纳入各自的制造体系。这一协同举措标志着半导体行业迈入新阶段，三方联手直指下一代芯片的瓶颈环节。
High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）代表EUV光刻的下一代技术，三星与台积电的承诺表明，两家芯片制造商都将该技术视为未来制造战略的核心组成部分。这一双重承诺意义重大，因为它让两家公司同时押注同一个光刻平台。
这项努力的第二大支柱是规模。为充分释放该技术的潜力，各方正共同推动向更大的12英寸晶圆转型。此次转型的联合属性尤为突出：三星与台积电并非各自为战，而是与ASML协同推进，将工程与导入的负担分摊到整个生态系统，而非由任何单一家独力承担。光刻技术的代际切换向来如此。
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