2026-09-10 · 来源：{'name': "Tom's Hardware", 'url': 'https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-samsung-and-intel-shore-up-support-with-asml-to-deploy-larger-high-na-euv-photomasks-6-12-inch-photomask-transition-may-take-years-despite-unified-effort'}
ASML、Intel、Samsung与TSMC正共同支持6×12英寸光掩模,让大型处理器在High-NA EUV上无需拼接即可一次成型,但这一转变可能耗时数年。
ASML、Intel、Samsung与TSMC正联手推动6×12英寸光掩模的开发——这是一种更大的掩模规格,旨在让芯片制造商在High-NA EUV光刻系统上生产大型处理器时无需拼接。据Tom's Hardware报道,这一协同行动标志着三家在半导体制造最前沿激烈交锋的代工对手出现了罕见的利益一致。
动机很直接:6×12英寸规格的存在,就是为了让大型处理器能在High-NA EUV光刻系统上一次曝光成型、无需拼接。如果没有更大的掩模,大尺寸裸片就不得不分区曝光再拼接,这是业界在前沿设计中极力避免的做法。转向更大的光掩模后,芯片制造商可以一次性曝光整颗大型处理器,在最先进制程节点上彻底消除这一复杂环节。
问题在于时间。尽管各方齐心协力,向6×12英寸光掩模的过渡可能仍需数年——这一时间跨度将决定High-NA EUV多快能应用于最大型的处理器设计。长达数年的预估凸显了这场变革的规模:光掩模是对精度要求极高的元器……
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