2026-09-10 · 来源：{'name': "Tom's Hardware", 'url': 'https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-to-start-using-high-na-euv-lithography-in-2030-a10-or-a11-technology-prime-candidates-for-use'}
台积电公布明确路线图,High-NA EUV光刻技术将于2030年投入应用,A10或A11制程为首选落地节点;2033年还将在新型光刻机上启用6×12英寸光罩。
台积电披露了将High-NA EUV光刻技术纳入制造路线图的具体时间表,将2030年定为该技术投入使用的年份。根据公司规划,A10或A11制程世代是这一更高数值孔径设备首次部署的首选候选,为业界提供了一个明确的时间坐标,标示这家代工龙头预计何时跨过这道技术门槛。
将A10和A11列为头号候选,意味着High-NA EUV被定位为十年之交的过渡技术,而非立竿见影的变革。通过点名两个相邻节点作为潜在切入点,台积电为技术的最终落点保留了灵活性,同时释放信号:沿当前路线演进的下世代制程,将依赖High-NA光学系统所设计的高分辨率优势。2030年的时间窗口也意味着采用时点尚有数年,为制程研发在量产承诺敲定前留足了成熟空间。
在2030年这一里程碑之外,此次披露还将视野延伸至更远处:2033年将启用运行6×12英寸光罩的新型光刻机。向更大光罩规格的切换,配合全新光刻设备……
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