2026-09-14 · 来源：{'name': 'TechPowerUp', 'url': 'https://www.techpowerup.com/352690/samsung-and-qualcomm-forge-2-1d-packaging-alliance'}
两家芯片巨头正联合开发基于类 PCB 再布线层的有机桥技术,目标是实现媲美 Intel 硅基 EMIB 方案的多裸片封装密度。
据报道,Samsung 与 Qualcomm 正在组建一个 2.1D 封装联盟,旨在让客户获得以连接裸片(die)的桥接结构为核心的先进芯片封装。该计划的核心是两家公司联合开发的有机桥技术,它充当把两颗芯片黏合在一起的“粘合剂”。这一思路沿袭了 Intel 在自家封装技术中已经走过的路线,只是桥接材料的选择有所不同。
Intel 的嵌入式多裸片互连桥(EMIB)遵循类似概念,但其桥接结构由硅材料切割而成。Samsung 与 Qualcomm 的方案则改用有机桥,采用传统 PCB 的典型材料——环氧类有机聚合物搭配铜布线——在同一封装内连接多颗芯片。这些材料取自板级供应链,使该工艺更接近 PCB 生产,而非硅芯片制造。
有机桥构建在再布线层(RDL)之上——这是由极细线宽和极小线距定义的多层精细电路。据该报道,这种结构使其封装密度与现代硅基 EMIB 十分接近,尽管底层工艺更类似板级生产而非晶圆级芯片制造。预计 Samsung 将负责制造这种 2.1D 封装:多层 RDL 组装于倒装芯片球栅阵列封装之内。
工程目标相当具体。Samsung 的最终目标是让有机桥的线宽与线距各自达到 1.5 至 2 微米,通孔尺寸为 4 至 5 微米;裸片间图形密度则瞄准每毫米 500 至 1000 条。若这些指标达成,一项源自 PCB 的封装技术将有望逼近硅桥互连的密度水平——倘若这家传闻中的联盟能兑现路线图,客户在多裸片设计上的选择空间将进一步扩大。
萬安算交所 AIXX · 算力硬件实名会员制交易平台 · 进入货源大厅