2026-09-10 · 来源：{'name': 'TechPowerUp', 'url': 'https://www.techpowerup.com/352511/cxmt-reportedly-struggles-with-hbm3e-yields-are-only-25'}
这家中国存储大厂生产的HBM3E堆栈每四个就有三个不合格,TSV技术不成熟被指为主因;与此同时,Samsung、SK hynix和Micron已推进至HBM4E送样阶段。
据韩国媒体报道,中国存储巨头CXMT的HBM3E良率据称仅为25%,每生产四个堆栈就有三个存在缺陷。就在上月底,有消息称该公司已开始小批量风险试产HBM3E内存,但当时披露的细节寥寥无几,此番良率数据正是在那则消息数周后浮出水面。此前的报道还指出,CXMT落后Samsung、SK hynix和Micron两代——后三者已在推进HBM4E送样。
这一良率短板凸显出DRAM堆叠工艺远比平面DRAM制造复杂——而后者据称正是CXMT的强项。良率低下被归因于该公司在堆叠工艺中采用的硅通孔(TSV)技术尚不成熟。CXMT素以传统平面DRAM生产立身,而向垂直堆叠内存的转型显然要艰难得多。
根据披露的细分数据,CXMT的前段制造良率约为30%,后段封测在此基础上再达到约70%——两者相乘,便得出了如今被归到CXMT头上的25%整体良率。
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