5,400 MT/s的接口速度意味着密度跃升与带宽成对出现，瞄准性能关键的SSD工作负载，而不只是廉价容量。
每平方毫米42吉比特。这是Micron为其下一代G11 3D NAND宣称的位密度：该设计构建于超过400层的堆叠之上，定位为密度较前一代硅片约翻一倍。
密度是NAND经济学里那根不起眼的杠杆。当同样面积的裸片塞进更多比特，每片晶圆产出更多可售容量，TB定价背后的成本结构随之改变。对SSD厂商而言，42 Gb/mm²工艺腾出了组装更高容量硬盘的空间——以往同样的容量需要多得多的裸片，这也是通往Micron以G11所昭示的极限容量存储的直路。
第二个头条数字是接口速度：5,400 MT/s。接口吞吐决定数据在NAND阵列与控制器之间移动的快慢，以这个速率，Micron把G11描绘成不只是一场容量秀。它是为喂饱性能饥渴型工作负载而推出的硅片——该公司为下一代SSD承诺的极限容量、极限性能组合的另一半。
对AI基础设施买家来说，存储日益成为一个调度问题：数据集从磁盘涓涓流出的同时，加速器集群只能闲置。更高的位密度缩小了将大型语料放在算力近旁所需的硅片——进而缩小机架占地——而更快的接口则从瓶颈的另一头发起攻击。很少有NAND世代能同时转动两个旋钮；密度提升历来与速度相互牵制，这正是G11同时宣称两项指标必将引来数据中心存储规格制定者审视的原因。
目前，这些还是路线图上的宣称，而非出货产品的实测。但如果G11带着其密度与接口数字如约而至，它将重置企业SSD在容量与吞吐两方面被期待的基线。
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