这家存储大厂还在研发垂直 HBM 与旨在直接叠在处理器之上的边缘推理内存，这条路线图将直接影响 AI 加速器封装。
Micron 已把 4F2 划掉。这家存储大厂否决了以这种紧凑单元设计作为通往下一代 DRAM 的路径，转而把路线图锚定在两项截然不同的技术上：晶圆键合与 High-NA EUV 光刻。
这次否决是整个计划中最能说明问题的细节。4F2 指的是一种更紧凑的单元布局，可缩小每个存储位占用的硅面积，采用它是业内拉高 DRAM 密度的常规杠杆之一。Micron 决定不拉这根杠杆。取而代之，公司打算把晶圆键合——将晶圆接合起来，让内存可以在晶圆尺度上堆叠与互连——和 High-NA EUV（极紫外图案化分辨率的下一步）引入未来的 DRAM 生产。
两项技术都不是终点。Micron 把晶圆键合与 High-NA EUV 定位为通往更根本转变的桥梁：让 DRAM 以垂直结构的内存进入三维，公司预计这一转变将在未来几年内展开。
路线图上还有一条明确面向 AI 的第二轨道。在传统 DRAM 演进之外，Micron 正在开发垂直高带宽内存，把 HBM 重塑为垂直取向的结构，同时还在推进一个名为 vertical edge inference memory（垂直边缘推理内存）的独立概念——设计为直接集成在处理器顶部的内存。把推理能力折叠进处理器堆栈本身，而非作为独立部件外挂，这种封装层面的转变可能重塑边缘与客户端 AI 系统的构建方式。
对任何规划多年期 AI 基础设施采购的人来说，先后次序才是真正的信号：Micron 预期常规缩放将先走过晶圆键合与 High-NA EUV，3D 内存与处理器集成堆叠随后而至，时间窗口以年计。
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