2026-09-15 · 来源：{'name': 'TechPowerUp', 'url': 'https://www.techpowerup.com/352730/micron-develops-512-gb-ddr5-rdimm-server-memory-reaching-9200-mt-s'}
该垂直堆叠模块正在AMD与Intel平台接受验证,可将24插槽双路服务器的DDR5 DRAM容量扩展至12 TB。
Micron Technology演示了其号称全球首款512 GB DDR5内存模块,在多个服务器平台上以高达9200 MT/s的数据速率运行。该公司将这款大容量RDIMM定位为企业数据中心和云运营商更高效地承载大规模AI、分析、内存数据库和重仿真负载的途径。AMD与Intel均在各自平台上积极验证该模块。
这一容量标称带来的系统级影响显而易见。按单条512 GB计算,一台24插槽双路服务器可以装配12 TB DDR5 DRAM——这正是Micron给出的该配置的容量上限。如此量级的主存容量直接切中内存数据库部署和大规模分析的需求,该公司也把这类负载与AI、重仿真计算并列为首要受益者。
这一容量突破依靠的是封装技术,而非DRAM单元本身的改动。Micron将其归功于先进的垂直互连封装:DRAM裸片层层堆叠,由硅通孔(TSV)构成层间互连。该公司表示,这种做法在最大化单个DRAM封装内密度的同时,还能跟上当代数据中心架构所需的性能水准——因此才能在512 GB容量之外再叠加9200 MT/s的速率上限。
Micron将此次演示称为一个里程碑,认为它巩固了公司在高性能、大容量服务器内存领域的领先地位,并为企业与云客户开辟了一条以更高效率承载严苛负载的路径。对服务器买家来说,关键细节在于验证:由于AMD和Intel都在积极测试该模块,这款512 GB RDIMM正在与Micron所称可承载12 TB DDR5的24插槽双路服务器最相关的两大CPU生态中同步完成认证。
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