2026-09-21 · 来源：{'name': '36氪快讯·中继', 'url': 'https://www.36kr.com/newsflashes/3992996520606723'}
银河微电拟以自有或自筹资金10.78亿元扩产集成电路分立器件，建设周期3年。
银河微电公告披露一项新的产能投资计划：公司拟以自有或自筹资金合计10.78亿元，投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。公告给出的投向理由，是提高集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，并扩大该类产品的生产规模。
在执行节奏上，该项目预计开工时间为2027年1月1日，建设周期为3年。换言之，即便各项工作按计划推进，从开工到项目建成也将横跨约三年，新增产能的形成属于中期维度的供给变化，而非即期放量。资金安排方面，公告明确以自有或自筹资金解决，未披露进一步的融资安排细节。
值得注意的是项目命名中“产业化”与“创新能力建设”的并置：前者对应制造环节的扩产，后者指向研发与工艺能力的投入。不过，此次公告并未披露项目的具体产品构成、设备方案或达产后的产能目标，相关细节仍有待公司后续说明。
对于跟踪半导体制造与供应链的产业读者，这份公告提供了两个可跟踪的锚点：一是2027年初的开工节点能否如期兑现，二是三年建设期内的资本开支节奏。以自有或自筹资金推进10.78亿元的长周期项目，对公司资金的持续性安排也是一项考验，后续进展值得持续关注。
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