2026-10-13 · 来源：{'name': '联合早报·中继', 'url': 'https://www.zaobao.com/news/china/story20261013-9829905'}
长鑫存储曹堪宇：年底推出4F²数据中心晶片，垂直环绕栅极细节尚未公开。
一场行业演讲，产品尚未落地，先在韩国股市掀起抛售。10月13日星期二，三星电子与SK海力士股价双双下挫逾7%，拖累韩国综合股价指数。导火索，是上周末上海一场行业会议上的几句表态。
表态者是长鑫存储总裁曹堪宇，公司发言人已确认其说法。他宣布，公司计划今年底前推出一款面向数据中心服务器的新型晶片，采用4F²设计以提升单个组件的性能，但未披露更多技术细节。市场的紧张不难理解：业界现行6F²标准用于衡量存储单元面积，F代表晶片特征尺寸，6F²即特征尺寸平方的六倍；三星电子与SK海力士正探索把存储单元面积缩小至4F²，理论上可在更小面积内容纳相同数量的存储单元，提高密度与效率。若长鑫存储真的跨越这道门槛，就等于在美国制裁限制其获取阿斯麦（ASML）最先进设备的情况下，抢先两家韩国巨头完成突破。
路径何在？曹堪宇给出的答案是堆叠——通过改变晶体管布局实现“垂直环绕栅极”（Vertical Surrounding Gate）技术，据称能减少漏电及其他副作用，而这类问题长期困扰着试图把存储单元面积压至6F²以下的主要竞争对手。
资本背景放大了这番宣示的分量。长鑫存储今年夏季完成备受瞩目的IPO后，一度成为中国市值最高的公司，此次放话凸显其正努力缩小与外国对手在晶片制造上的差距——该领域对人工智能发展至关重要。若新架构奏效，将成为中国企业以技术创新绕过美国限制的又一案例；细节缺位之际，市场先以抛售投出了问号。
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