FD-SOI首破10nm：格罗方德7nm级工艺2028年量产

2026-10-09 · 来源：{'name': 'IT之家资讯·中继', 'url': 'https://www.ithome.com/1/011/149.htm'}

混合信号、射频与存内计算打包进一套7nm级平台，格罗方德押注物理AI市场。

FD-SOI（完全耗尽型绝缘体上硅）工艺过去从未踏入10nm以下，这个空白即将被填补。10月9日，格罗方德公布FDX Fusion先进制程平台计划，第一代技术将提供7nm级数字性能。凭借这一步，格罗方德成为又一家独立的10nm以下级逻辑芯片制造商，也是首家将FD-SOI扩展至10nm以下级的企业。

时间表相当紧凑：2027年初向客户交付演示芯片，2027年中提供初步PDK，2028年在德国德累斯顿晶圆厂启动量产。格罗方德目前正与多家客户推进FDX Fusion的早期开发和评估工作，用实际应用需求指导产品设计，以加速该技术从平台定义走向量产就绪。

这套平台瞄准的是物理人工智能市场。除数字逻辑性能之外，FDX Fusion还拥有不俗的模拟与混合信号、射频表现，同时支持存内计算和嵌入式非易失性存储器——数字、模拟与存储能力集于同一套工艺，构成其面向物理AI市场的差异化所在。

产能扩张与新工艺同步推进。格罗方德同日宣布，德累斯顿生产基地的SPRINT扩展项目实现封顶，预计到2028年底将产能提升至每年超100万片300mm（12英寸）晶圆。FDX Fusion的量产启动与这轮产能爬坡恰好都落在2028年，先进平台与制造基地将在同一年、同一座工厂完成对接。

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